在半導(dǎo)體器件的制取全過(guò)程中，每一個(gè)全過(guò)程都牽涉到清理，清理的品質(zhì)立即危害到下一個(gè)全過(guò)程，乃至危害機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)量和可信性。因?yàn)閁LSI處理速度的迅速提升和機(jī)器設(shè)備規(guī)格的減少，對(duì)集成ic表層的環(huán)境污染規(guī)定更為嚴(yán)苛。ULSI技術(shù)性必須吸咐不超過(guò)500平米/平米，金屬材料環(huán)境污染低于1010atom/cm2。芯片生產(chǎn)中每一個(gè)全過(guò)程的潛在性環(huán)境污染會(huì)造成缺點(diǎn)和機(jī)器設(shè)備常見(jiàn)故障。因而，硅單晶的清理造成了專(zhuān)業(yè)人員的留意。以往，很多生產(chǎn)商應(yīng)用手工制作清理的方式 ，一方面非常容易造成殘片的經(jīng)濟(jì)收益，另一方面，手工制作清理的硅單晶表層潔凈度很差，環(huán)境污染比較嚴(yán)重。下一個(gè)全過(guò)程中的達(dá)標(biāo)率較低。因而，硅單晶的清理技術(shù)性造成了大家的關(guān)心，發(fā)覺(jué)簡(jiǎn)易合理的清理方式 是重中之重。文中詳細(xì)介紹了一種超聲波清洗技術(shù)性，其清理硅單晶的實(shí)際效果是一種非常值得營(yíng)銷(xiāo)推廣的硅片超聲波清洗機(jī)清洗技術(shù)性。

　　集成ic表層的分子因?yàn)樨Q直切成片方位的離子鍵的毀壞而變?yōu)閼壹苕I。因而，亞鐵離子的環(huán)境污染更為比較嚴(yán)重。另外，因?yàn)槟湍ゲ牧现刑继紡?fù)合材料片的粒度大，切削后的硅單晶損壞層超過(guò)飄浮鍵的總數(shù)，非常容易吸咐各種各樣殘?jiān)Ｈ珙w粒物有機(jī)化學(xué)殘?jiān)鼰o(wú)機(jī)物殘?jiān)饘匐x子硅煙塵等，磨片后硅單晶非常容易變藍(lán)發(fā)黑，使數(shù)控磨床不符合規(guī)定。硅片清洗的目地是清除各種各樣空氣污染物的潔凈度，立即決策ULSI具備較高的處理速度和可信性。這牽涉到高美化環(huán)境、水化學(xué)藥品和相對(duì)的機(jī)器設(shè)備和配套裝置。